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蒋苓利--教学工程师

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自2006年起,进行功率集成电路相关研究,参与大量科研项目。内容主要包括:芯片可靠性(ESD及封装),高低压集成工艺开发。研究内容密切联系产业界,所有研发均针对实际产品和工艺进行技术攻关。主要针对芯片的ESD及封装,对芯片可靠性进行优化和提升。其工艺涵盖:GaN on Si工艺,700V(BCD工艺)、190V(SOI工艺)、18V(LDD工艺)、20V/40V(BCD工艺)、5V/3.5V/1.8V常规CMOS工艺。

教育经历

2002-2006,电子科技大学,本科

2006-2008,电子科技大学,硕士

2008-2013,电子科技大学,博士

工作经历

2014年1月——今,南方科技大学,教学工程师

研究简介

功率集成技术与封装

GaN功率器件

片上ESD防护

代表文章

[1] Lingli Jiang, Bo Zhang, Hang Fan, et al. ESD robustness studies on the double snapback characteristics of an LDMOS with an embedded SCR[J]. Journal of Semiconductors, 2011, 32(9):094002(1-4)

[2] Lingli Jiang, Hang Fan, Ming Qiao, et al. ESD characterization of a 190V LIGBT SOI ESD power clamp structure for plasma display panel applications[J]. Microelectronics Reliability, 2013, 53(5): 687-693

[3] Lingli Jiang, Hang Fan, Ming Qiao, et al. A study on ESD performance of LDMOS with source-bulk layout structure optimization[J]. Journal of Semiconductors, 2013, 12: 44-48

[4] Lingli Jiang, Ming Qiao, Zhaoji Li, et al. A novel double RESURF LDMOS with optimized ESD robustness[C]. International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS), Chengdu, China, 2009: 638-640

[5] Guangxing Wan, Tianli Duan, Shuxiang Zhang, Lingli Jiang*, et al. Overshoot Stress on Ultra-thin HfO2 High-k Layer and Its Impact on Lifetime Extraction[J]. IEEE Electron Device Letters, IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(12): 1267-1270.

代表著作与论文

[1] Jiang Lingli, Conventional AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors. Chapter of “Gallium Nitride Power Devices”, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2017: 93-109

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电话:88018560

电邮:jiangll@sustc.edu.cn

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