电子与电气工程系
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副主任、教授
简历 研究领域 文献发表

背景介绍:

于洪宇教授,国家首批“青年千人计划”入选者,入选深圳市孔雀计划,2011年起在南方科技大学任教授和副主任。于教授1999年在清华大学获得学士学位,2001年在多伦多大学获得硕士学位,2004年在新加坡国立大学获得博士学位,2004-2008年在比利时鲁汶IMEC担任资深研究员和项目负责人,2008-2011年在新加坡南洋理工大学担任助理教授,于洪宇教授主要研究工作集中在集成电路微纳米电子器件,主要包括纳米尺度CMOS 器件与工艺、新型超高密度存储器、硅基太阳能电池等方向,取得的一系列创新性工作。共发表期刊论文160篇左右(其中148篇被SCI收录),其中以第一作者/通讯作者身份在IEEE Electron Device Letters、Transaction on Electron Devices、Applied Physics Letters、Small、Scientific Reports等学术期刊发表论文近80篇,综述性邀请文章5篇。发表会议论文150余篇,其中以第一作者/通讯作者身份在Symposia on VLSI Technology和International Electron Devices Meeting 两个国际微电子领域顶级学术会议发表论文14篇。发表论文被引用近3800次,他引>3400次, H因子32(SCI)。受邀在Microelectronics Reliability、Crystals等撰写特邀综述,在《Solid State Circuits Technologies》、《Nonvolatile Memories: Materials 、Devices and Applications 》、《Applied Nanotechnologies》、《Energy Efficiency and Renewable Energy through Nanotechnology》4本专著撰写部分章节。相关成果已经申请美国及欧洲专利23项,国内专利10项。承担国内外科研项目和人才计划近20项,资助金额超过5000万元。


教育经历:

2004年,获得新加坡国立大学电机与计算机工程系博士学位;

2001年,获得加拿大多伦多大学材料系硕士学位;

1999年,获得清华大学材料系学士学位。

 

工作经历:

2011年至今,南方科技大学,教授,副主任

2008年至2011年,新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院微电子系,助理教授。纳米器件实验室,副主任;

2004年至2008年,比利时鲁汶IMEC(全球著名微纳电子研发中心),资深研究员及项目负责人;

2003年至2004年,新加坡国立大学电机系,研发工程师。

 

研究领域

氮化镓功率器件与系统集成(GaN power device and system integration);

片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor)。


所获荣誉:

第一批青年千人计划入选者

深圳市海外高层次人才“孔雀计划”入选者

鹏城学者

深圳市政府特殊津贴

南科大杰出科研奖

英国工程技术学会,会士

新加坡国大校长奖学金, 2002

IEEE 电子器件协会博士生奖学金, 2004

VLSI会议亮点文章, 2007

南洋”助理教授奖, 2008

陈振传学术交流奖, 2009

MRS-ICMAT最佳Poster奖: 太阳能电池工作, 2011


代表文章:

*表示通讯作者

(1) H. Wang, N. Wang, L.L Jiang, X.P. Lin, H.Y. Zhao, H.Y. Yu*. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor

with split floating gates, Chinese Physics B, 2017, 26(4): 047305.

(2) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L Jiang, Z.D. Liu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts. International Conference on Advanced Electronic Science and Technology, 2016.

(3) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L. Jiang, Z.D. Liu, X.Y. Hu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement. Aip Advances, 2016, 6(9): 450-1170.

(4) T.L. Duan, S.X. Zhang, L.L. Jiang, B. Tang, J. Yan, C. Zhao, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Overshoot stress on ultra-thin HfO2 high- layer and its impact on lifetime extraction. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(12): 1-1.

(5) L. Hong, Rusli, X.C. Wang, H.Y. Zheng, H. Wang, X.Y. Xu, H.Y. Yu*. Light trapping in hybrid nanopyramid and nanohole structure silicon solar cell beyond the Lambertian limit. Journal of Applied Physics, 2014, 116(7): 074310.

(6) W.J. Liu, X.A. Tran, Z. Fang, H.D. Xiong, H.Y. Yu*. A Self-Compliant One-Diode-One-Resistor Bipolar Resistive Random Access Memory for Low Power Application. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(2): 196-198.

(7) W.J. Liu, X.W. Sun, X.A. Tran, Z. Fang, Z.R. Wang, F. Wang, L. Wu, J.F. Zhang, J. Wei, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Observation of the Ambient Effect in BTI Characteristics of Back-Gated Single Layer Graphene Field Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(8): 2682-2686.

(8) W.J. Liu, J. Wei, X.W. Sun, H.Y. Yu*. A Study on Graphene—Metal Contact. Crystals, 2013, 3(1):257-274.

(9) Z. Wang, H.Y. Yu*, X.A. Tran, Z. Fang, J.H. Wang, H.B. Su. Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories. Physical Review B Condensed Matter, 2012, 85(19): 2202-2208.

(10) H.Y. Yu*, Y. Sun, N. Singh, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires. Microelectronics Reliability, 2012, 52(52): 651–661.


专著:

(1) H.Y. Yu. Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Applications, Nova Science Publishers, 2014.

(2) H.Y. Yu*. Electrical properties of ultrathin hafnium-based high-K dielectrics and their applications insub-22 nm CMOS devices, Nova Science Publishers, 2014.

(3) J.S. Li, H.Y. Yu*. Enhancement of Si-based solar cell efficiency via nanostructure integration, Springer, 2011.

(4) H.Y. Yu*. Metal Gate Electrode and High-K Dielectrics for Sub-32 nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide Capping Layer for Low Threshold-Voltage Devices Application, IN-TECH, 2010.