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于洪宇--副主任、教授

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于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面,包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成(GaN HEMT),取得的一系列创新性工作。发表学术论文370篇以上(包括期刊与会议),其中近160篇被SCI收录,总他引次数超过了4700 次,H 影响因子为37。受邀撰写了4 本专业书籍的章节,并编辑2本书籍,Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Application和Gallium Nitride Power Devices。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及十多项国内专利。作为编委会委员,参与王阳元《集成电路工业全书》的编写。作为项目负责人,承担超过 5000 万人民币的科研项目。在南科大建成了一个1200平米的洁净间,形成一个完整的6英寸CMOS工艺实验室,其硬件水平将在华南地区达到领先水平。筹建南科大深港微电子学院,代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同筹建深圳第三代半导体研究院,与清华大学共同牵头筹建未来网络高端器件制造业创新中心。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心,并成立团队。

教育经历

2004年,获得新加坡国立大学电机与计算机工程系博士学位;

2001年,获得加拿大多伦多大学材料系硕士学位;

1999年,获得清华大学材料系学士学位。

工作经历

2011-至今 南方科技大学,教授

2018-至今深港微电子学院筹建办公室执行主任,深圳第三代半导体研究院副院长

2010-2012中国复旦大学,ASIC重点实验室,高级访问学者

07-08澳大利亚新南威尔士大学,太阳能研发中心,高级客座研究员

2008-2011 新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院微电子系,助理教授。纳米器件实验室,副主任;

2004-2008 比利时鲁汶IMEC(全球著名微纳电子研发中心),资深研究员及项目负责

2003-2004 新加坡国立大学电机系,研发工程师

研究简介

氮化镓功率器件与系统集成(GaN HEMT)

CMOS器件与工艺

新型超高密度存储器

片式多层陶瓷电容器

所获荣誉

鹏城学者,2014

深圳市海外高层次人才“孔雀计划”B类人才,2013

深圳市政府特殊津贴,2012

南科大杰出科研奖,2016

英国工程技术学会,会士,2012

Senior Menber of IEEE,2012

IEEE 电子器件协会博士生奖学金, 2004

VLSI会议亮点文章, 2007

南洋”助理教授奖, 2008

Science Bulletin 《科学通报》英文版副主编,2018-2022

The Open Electrical & Electronic Engineering Journal顾问委员会成员,2018

Journal of  Semiconductors 编委会委员,2011

 

代表文章

  1. H. Wang, N. Wang, L.L Jiang, X.P. Lin, H.Y. Zhao, H.Y. Yu*. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor with split floating gates, Chinese Physics B, 2017, 26(4): 047305.
  2. B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L Jiang, Z.D. Liu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts. International Conference on Advanced Electronic Science and Technology, 2016.
  3. B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L. Jiang, Z.D. Liu, X.Y. Hu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement. Aip Advances, 2016, 6(9): 450-1170.
  4. T.L. Duan, S.X. Zhang, L.L. Jiang, B. Tang, J. Yan, C. Zhao, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Overshoot stress on ultra-thin HfO2 high- layer and its impact on lifetime extraction. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(12): 1-1.
  5. L. Hong, Rusli, X.C. Wang, H.Y. Zheng, H. Wang, X.Y. Xu, H.Y. Yu*. Light trapping in hybrid nanopyramid and nanohole structure silicon solar cell beyond the Lambertian limit. Journal of Applied Physics, 2014, 116(7): 074310.
  6. W.J. Liu, X.A. Tran, Z. Fang, H.D. Xiong, H.Y. Yu*. A Self-Compliant One-Diode-One-Resistor Bipolar Resistive Random Access Memory for Low Power Application. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(2): 196-198.
  7. W.J. Liu, X.W. Sun, X.A. Tran, Z. Fang, Z.R. Wang, F. Wang, L. Wu, J.F. Zhang, J. Wei, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Observation of the Ambient Effect in BTI Characteristics of Back-Gated Single Layer Graphene Field Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(8): 2682-2686.
  8. W.J. Liu, J. Wei, X.W. Sun, H.Y. Yu*. A Study on Graphene—Metal Contact. Crystals, 2013, 3(1):257-274.
  9. Z. Wang, H.Y. Yu*, X.A. Tran, Z. Fang, J.H. Wang, H.B. Su. Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories. Physical Review B Condensed Matter, 2012, 85(19): 2202-2208.
  10. H.Y. Yu*, Y. Sun, N. Singh, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires. Microelectronics Reliability, 2012, 52(52): 651–661.

代表著作与论文

  1. H.Y. Yu. Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Applications, Nova Science Publishers, 2014.
  2. H.Y. Yu*. Electrical properties of ultrathin hafnium-based high-K dielectrics and their applications insub-22 nm CMOS devices, Nova Science Publishers, 2014.
  3. J.S. Li, H.Y. Yu*. Enhancement of Si-based solar cell efficiency via nanostructure integration, Springer, 2011.
  4. H.Y. Yu*. Metal Gate Electrode and High-K Dielectrics for Sub-32 nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide Capping Layer for Low Threshold-Voltage Devices Application, IN-TECH, 2010.

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